Intel představuje významný průlom ve vývoji tranzistoru a vůbec poprvé od vynálezu křemíkových tranzistorů před více než 50 lety budou nyní do výroby uvedeny tranzistory využívající trojrozměrnou strukturu - revoluční 3D tranzistor zvaný Tri-Gate.
Základní obrysy tranzistoru Tri-Gate byly poprvé představeny v roce 2002, do masové výroby ve své 22nm výrobní technologii v čipu, jenž je zatím kódově označován Ivy Bridge. Jeden nanometr představuje miliardtinu metru.
Trojrozměrné tranzistory Tri-Gate představují zásadní odklon od dvojrozměrných, plochých tranzistorů, které poháněly nejen všechny počítače, mobilní telefony a přístroje spotřební elektroniky, ale také elektroniku v automobilech, kosmických lodích, domácích spotřebičích, lékařských zařízeních a tisícovkách dalších zařízení, která každodenně používáme již po desetiletí.
"Výzkumní pracovníci společnosti Intel znovu přinesli revoluci do světa tranzistorů, tentokrát vstupem do třetího rozměru," prohlásil Paul Otellini, prezident a generální ředitel společnosti Intel. "Na základě těchto tranzistorů vzniknou nová úchvatná zařízení a Mooreův zákon se posune do nových oblastí."
Vědci již delší dobu poukazují na výhody trojrozměrné struktury k udržení tempa Mooreova zákona, jelikož rozměry elektronických zařízení se natolik zmenšily, že se z nich staly bariéry bránící dalšímu pokroku. Klíčovým aspektem pro dnes představenou novinku je schopnost Intelu využít tyto nové, trojrozměrné tranzistory v masové výrobě, což spustí novou éru Mooreova zákona a otevře dveře nové generaci inovací napříč širokým spektrem zařízení.
Mooreův zákon je předpověď tempa vývoje počítačové technologie. Říká, že vývoj technologie se zrychlí zhruba každé dva roky, přičemž se zároveň bude zvyšovat funkčnost, výkon a budou se snižovat náklady. Mooreův zákon se stal základním modelem pro odvětví polovodičů po více než 40 let.
Obrovské úspory energie a vyšší výkon
Díky trojrozměrným tranzistorům Tri-Gate mohou procesory fungovat při nižším napětí s nižším únikem energie, takže oproti předchozím procesorům nabízejí bezkonkurenční kombinaci energetické účinnosti a výkonu. To poskytuje zvláštní flexibilitu konstruktérům čipů, kteří si mohou vybírat tranzistory určené pro nízkou spotřebu anebo naopak vysoký výkon - vše podle typu aplikace.
Trojrozměrné 22nm 3D tranzistory nabízejí oproti plochým tranzistorům Intel 32nm nárůst výkonu o 37 procent při nízkém napětí. Díky této úspoře jsou tranzistory ideální pro použití v malých úsporných kapesních zařízeních. Nové tranzistory spotřebují méně než polovinu energie potřebné pro staré tranzistory na 32nm čipech.
"Výkonnostní nárůst a úspora energie trojrozměrných tranzistorů Tri-Gate jsou něčím, co jsme v dějinách výpočetní techniky zatím neviděli," říká Mark Bohr, výzkumný pracovník společnosti Intel. "Tento milník je něco víc než jen další dodržování Mooreova zákona. Rozdíl ve spotřebě energie je podstatně větší, než na jaký jsme zvyklí při vývoji od starší generace k nové. Výrobci díky tomu mohou vyrábět ještě inteligentnější přístroje a samozřejmě to umožní i vývoj zcela nových zařízení. Domníváme se, že tento revoluční krok ještě posílí vůdčí postavení společnosti Intel v oblasti polovodičů."
Pokračování v tempu inovace - Mooreův zákon
Tranzistory jsou menší, levnější, energeticky úspornější a v souladu s Mooreovým zákonem. Ten byl pojmenován po spoluzakladateli společnosti Intel Gordonu Mooreovi. Zákon umožňuje společnosti Intel inovovat a inovace dál integrovat, obohacovat své technologie o nové vlastnosti, rozšiřovat počet jader na čipech, zvyšovat výkon a snižovat výrobní náklady na tranzistor.
Udržet vývoj Mooreova zákona je u 22nm generace ještě složitější, než tomu bylo v minulosti. Výzkumní pracovníci společnosti Intel však tento vývoj očekávali, a proto již v roce 2002 přišli s konceptem tranzistoru, který označili jako Tri-Gate. Dnes představená novinka je tak vyvrcholením několikaletého vývoje, na němž se podílely různé divize společnosti a který vyústil v uvedení tohoto tranzistoru do sériové výroby.
Trojrozměrné tranzistory Tri-Gate jsou opravdu revoluční. Tradiční ploché tranzistory byly nahrazeny neuvěřitelně tenkou trojrozměrnou křemíkovou vrstvou, jež vertikálně vystupuje z křemíkového substrátu. Kontrola proudu je zajištěna bránou na každé ze tří stran zmíněné vrstvy - dvě brány po stranách a jedna nahoře namísto pouhé jedné nahoře, jako je tomu u dvojrozměrných tranzistorů. Dodatečný tranzistor umožňuje maximální tok proudu při požadovaném vysokém výkonu a naopak téměř nulový tok v případě, že výkon očekáván není. Díky tomu se podařilo výrazně snížit spotřebu a tranzistor dokáže velice rychle přecházet mezi dvěma výše zmíněnými stavy, což opět vede k vyššímu výkonu.
Stejně jako mrakodrapy umožňují městským architektům optimalizovat dostupné místo tím, že se staví směrem vzhůru, tak trojrozměrný tranzistor Tri-Gate nabízí konstruktérům počítačů způsob, jak řídit hustotu. Tranzistorové ploutve jsou vertikální, tudíž je možné je umisťovat velice blízko sebe, což má klíčový význam pro technologické a ekonomické přínosy Mooreova zákona. V budoucích generacích budou konstruktéři moci zvyšovat výšku těchto ploutví a dosahovat ještě vyššího výkonu a energetické úspornosti.
"Léta nás omezovala velikost tranzistoru," prohlásil Gordon Moore. "Tato změna v základní struktuře představuje vskutku revoluční přístup. Je to přístup, který by měl umožnit další pokračování Mooreova zákona a historického tempa inovace."
První představení 22nm 3D tranzistorů Tri-Gate
Tranzistor Tri-Gate bude implementován v novém 22nm výrobním procesu, který označuje velikost tranzistoru. Do tečky na konci této věty by se vešlo přes 6 milionů tranzistorů Tri-Gate.
Mikroprocesor Ivy Bridge
Společnost Intel také představila první 22nm mikroprocesor označovaný jako Ivy Bridge pro notebooky, stolní počítače a servery. Právě procesory Intel Core budou prvními čipy, které budou využívat tranzistory 3D Tri-Gate. Procesory Ivy Bridge se začnou sériově vyrábět do konce roku.
Dosažený průlom rovněž umožní uvést na trh další produkty postavené na procesorech Intel Atom, které umožní vyšší škálovatelnost výkonu, funkčnosti i kompatibility, přičemž zároveň uspokojí požadavky na výkon, náklady a velikost.
Jak málo je 22 nanometrů:
Článek Intel Czech Tradings, Inc., organizační složka ze dne čtvrtek 5. května 2011
BYOD v českých firmách stále s obavami
SDI řešení Intel zrychlují přechod do firemního cloudu
Připravte se na boj s bezpečnostními hrozbami budoucnosti
Bezplatné kurzy pro profesionální rozvoj s Intel Learning Studio
WiFi Free jen na vlastní nebezpečí
Nová IoT platforma pro chytrá a propojená zařízení
Počítače po práci nevypíná třetina zaměstnanců českých firem
Nové procesory Intel Xeon zrychlují zpracování velkého objemu dat
Počítače do kabelky preferují ženy v průzkumu Intel
Nová řada procesorů Intel Atom S1200
Ultrabooky s dotykovým ovládáním
Bezdrátová budoucnost: sítě v cloudu s rádiovým přístupem
Čtyřjádrové procesory třetí generace Intel Core
Intel SBA: počítačové řešení pro malé firmy
SSD 520: nejrychlejší a nejvýkonnější SSD disk Intel
Partnerství Intel a Motorola Mobiliy: zaměřeno na vývoj a prodej chytrých telefonů
Procesory Intel Atom: nové funkce a delší životnost baterie
Intel představuje dva nové šestijádrové a dvanáctivláknové procesory pro desktopy
Výpočetní technika pokořuje nové hranice
Ultrabook nabídne nejvyšší uživatelský komfort
Intel a Google spolupracují na optimalizaci budoucích verzí platformy Android
Ultrabook: novou kategorii mobilních počítačů podpoří fond Intel Capital
Česko propadlo sociálním sítím
Intel nabídne do konce roku 2020 výpočetní výkon na exaskalární úrovni
Ultrabook: nová kategorie tenkých a lehkých počítačů pro většinového uživatele
Literární soutěž o nejlepší sci-fi povídku zná své vítěze
Intel zveřejňuje Zprávu o firemní odpovědnosti za rok 2010
Čeští studenti excelovali na největší světové soutěži pro mladé vědce Intel ISEF
3D tranzistor Tri-Gate: úspory elektrické energie a zvýšení výkonu
60 let inovací ve vývoji tranzistorů
Finále celosvětové soutěže Intel ISEF s účastí českých studentů
Intel Challenge Europe 2011: přihlaste se do prvního kola soutěže
NAND Flash 20nm: nejvyspělejší technologie od Intel a Micron
Procesory Intel Xeon: nový standard pro high-endové počítačové aplikace
SSD 320 Series: třetí generace SSD disků Intel
Literární soutěž Intel na téma: Umělá inteligence za čtyřicet let
Intel SSD 510: nová řada SSD disků s podporou SATA s propustností 6Gbps
Intel Thunderbolt: technologie pro nejrychlejší připojení osobního počítače
FAB 42: nová továrna Intel v Arizoně
Intel a PRE společně budují moderní energetické sítě
Intel Medfield: nový procesor pro mobilní telefony vyrobený 32nm technologií
Intel zjednodušuje datová centra
will.i.am: ředitel pro kreativní inovace Intel
Technologické trendy roku 2011
Intel představuje novou řadu SSD disků Intel 310
Intel Anti-Theft: kladivo na zloděje notebooků