Intel dokončil vývoj 32nm výrobního procesu

Společnosti Intel se podařilo zmenšit rozměry tranzistorů v počítačových čipech na 32 nanometrů a připravuje i nový výrobní proces, který zvýší výkonnost a energetickou úspornost tranzistorů.

Společnost Intel dokončila fázi vývoje nového výrobního procesu, který zmenší rozměr tranzistorů v počítačových čipech na 32 nanometrů. Probíhá také příprava na nový výrobní proces zvyšující výkonnost tranzistorů a jejich energetickou úspornost. Předběžné odhady hovoří o čtvrtém čtvrtletí roku 2009.

Technické podrobnosti o novém, 32nm technologickém procesu, zveřejní Intel na konferenci International Electron Devices Meeting (IEDM) příští týden v San Franciscu. Díky dodržení časového rámce vývojového i výrobního plánu Intel naplní svůj ambiciózní plán produktové a výrobní frekvence nazývaný "tick-tock" model. Cílem je přibližně každých 12 měsíců střídavě představovat zcela novou procesorovou mikroarchitekturu a nejmodernější výrobní proces. Tento plán nemá ve svém oboru obdoby. Zahájení výroby 32nm čipů v příštím roce znamená dodržení plánu již po dobu čtyř let.

Studie a prezentace společnosti Intel na téma 32nm výrobního procesu podrobněji popisuje technologický postup, využívající druhou generaci high-k + metal gate technologie, 193nm imersní litografii a pokročilé techniky napětí transistorů. Tyto funkce zvyšují výkon a energetickou účinnost procesorů Intel. Výrobní proces tak dosahuje nejvyššího výkonu hustoty tranzistorů ze všech dosud známých 32nm technologií.

"Inovace ve výrobních procesech nám pomáhají zvýšit náskok v oblasti výpočetního výkonu i výdrži baterií u notebooků, serverů i stolních počítačů s procesory Intel," říká Mark Bohr, ředitel procesové architektury a integrace. "Letošní úspěch při realizaci naší výrobní strategie nám ale umožní vyrábět i zcela nové produktové řady mobilních internetových zařízení, spotřební elektroniky, integrovaných počítačů nebo netbooků."

Intel na konferenci IEDM představí i další studie, zabývající se zejména následujícími tématy :

• nízkoenergetickou verzí "systému na jednom čipu" (System on Chip - SoC) vytvořeného 45nm procesem
• integrace chemických mechanických leštidel pro 45nm uzly
• integrace pole křemíkových fotonických modulátorů
• tranzistory na bázi sloučeninových polovodičů

Intel se také zúčastní krátké přednášky na téma 22nm CMOS technologie.

Článek Intel Czech Tradings, Inc., organizační složka ze dne čtvrtek 11. prosince 2008

Další články od Intel Czech Tradings, Inc., organizační složka